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三星量產64層V-NAND內存 海量高速儲存不是夢


...三星宣布已經開始批量生產層GV-NAND快閃記憶體,並會將之應用於伺服器、PC以及移動設備。三星一直在UFS快閃記憶體、SSD硬碟和儲存卡方面下了很大的功夫,而基於層GV-N...

- 2017年6月15日15時54分
- 數位文摘 / digital

三星宣布已經開始批量生產64層256Gb V-NAND快閃記憶體,並會將之應用於伺服器、PC以及移動設備。三星一直在UFS快閃記憶體、SSD硬碟和儲存卡方面下了很大的功夫,而基於64層256Gb V-NAND晶片也將在今年晚些時候推出。

為了鞏固其在內存市場的競爭優勢,三星計劃大量生產64層V-NAND晶片,也就是俗稱的第四代V-NAND,其產量在年底將達到全部NAND快閃記憶體的50%。64層V-NAND晶片的最大優勢在於能夠達到1Gbps(千兆位/秒)的數據傳輸速度,這是目前可用的NAND快閃記憶體中最快的,其頁面編程時間也比典型的10納米級的平面NAND快閃記憶體快約四倍。

與之前的48位256Gb V-NAND相比,新的64層256Gb V-NAND提供了超過30%的生產率增益。此外,64層V-NAND的電路具有2.5V輸入電壓,與使用48層V-NAND的3.3伏相比,能量效率提高了約30%,電池的可靠性也增加了約20%。


容量更大、更快速、更穩定是內存發展的不變趨勢,三星作為行業的先驅者,其努力不容忽視,未來的海量高速儲存正在向我們招手嘍。



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